В биполярных транзисторах используются два />-//-перехода, и их работа основана на использовании носителей заряда обоих знаков. Принцип устройства транзистора, включенного с общей базой, показам на рис. 3.8. Для примера взят транзистор типа п-р-п, у которого средняя область - с дырочной, а две крайние области - с электронной проводимостью. На практике широко применяются также транзисторы -/?-струкгуры, в которых средняя область имеет электронную, а две крайние - дырочную проводимости. Независимо от типа проводимости средняя область транзистора называется базой, одна крайняя область -эмиттером, другая - коллектором, Выводы транзистора от сказанных областей обозначаются соответственно буквами «б», «э», «к». Условные графические обозначения транзисторов п-р-п~ и /?-л-/;~сгруктур показаны на рис. 3.9 (кружочек обозначает корпус транзистора).
В составе интегральных микросхем (транзисторные структуры в полупроводниковых интегральных микросхемах и транзисторы в гибридных интегральных схемах ИМС) транзисторы изображаются без корпуса. На условном графическом обозначении транзисторов стрелка эмиттера показывает условное (от плюса к минусу) направление тока в эмигтерном выводе.
Эмиттер - крайняя область транзистора, из которой основные носители переходят в область, где они являются неосновными. Такой процесс называется иижекцией. Дня этого необходимо подать ня эмиттер «минус» (для транзисторов // /; //типа), на базу - «пл юс ° щеточника питания. При этом электроны попадают в область базы, где они являются неосновными носителями.
Для неосновных носителей потенциальный барьер коллекторного перехода является ускоряющим фактором, и носители из области базы переходят на коллектор. Часть носителей зарядов ответвляется в цепь базы, образуя базовый ток. Таким образом, ток эмиттера формирует токи базы и коллектора, т.е.
получило название коэффициента передачи по току транзистора с общей базой. Очевидно, что чем слабее рекомбинация инжектированных носителей в базе, тем а ближе к І. Зная значение а, можно легко определить коэффициент передачи тока базы Р
У современных транзисторов коэффициент передачи тока базы Р может достигать значения 100 и более. В справочных пособиях по транзисторам коэффициенты аир представлены через А-параметры и обозначаются Ъ2ш и /г2/э соответственно.
На рис, ЗЛО приведена схема транзистора и структуры, включенного с общим эмиттером, т.е. когда общим электродом для обоих источников питания является эмиттер.