Триністор відрізняється від диністора наявністю третього виводу, з’єднаного з базовою областю. Ця обставина дозволяє керувати величиною напруги вмикання , змінюючи струм у колі керувального електрода.
Керувальний електрод може з’єднуватися з будь-якою базою тиристора (рисунок 13.5, а, б).
Рисунок 13.5 – Структура триністора: а – з керуванням за катодом; б – з керуванням за анодом; в – сім’я ВАХ триністора
Збільшуючи струму керування , можна збільшити коефіцієнт передачі струму відповідного емітера, це приводить до того, що рівність +=1 виконуватиметься при меншій анодній напрузі і ввімкнення тиристора відбуватиметься при меншому значенні (рисунок 13.5, в). Фізично це означає, що накопичення надлишкових зарядів у базах структури відбуватиметься швидше, ніж у випадку диністора, тому що джерело напруги керування у колі будь-якої з баз прискорює інжекцію через відповідний ЕП.
Струм і напруга кола керування невеликі, струм у анодному колі може досягати одиниць амперів (у тиристорах середньої потужності) або десятків – сотень амперів (в силових тиристорах) при анодних напругах від десятків – сотень вольтів до тисяч вольтів. Тому триністори – це своєрідні підсилювачі потужності з коефіцієнтом підсилення .
Триністори серед інших тиристорних структур мають найбільше практичне застосування в електроніці. Для більшого керування тиристором керувальний електрод з’єднують з базою, що має меншу ширину, оскільки коефіцієнтом передачі струму емітера саме такої транзисторної структури (n-p-n – на рисунку 13.5, а і p-n-p – на рисунку 13.5, б) легше керувати, ніж коефіцієнтом передачі транзистора з товстою базою.
Симетричний тиристор, або симістор, - це тиристор, який має практично однакові ВАХ при різних полярностях прикладеної напруги. Симістор являє собою багатошарову структуру ----- типу, що складається з п’яти напівпровідникових областей, типи провідності яких чергуються і які утворюють чотири -переходи (рисунок 13.6).
Рисунок 13.6 – Структура (а, б) та ВАХ (в) симетричного тиристора
Якщо до такого тиристора прикласти напругу плюсом до області , а мінусом до області (рисунок 13.6, а), то перехід I увімкнеться в зворотному напрямі, і струм, що проходить через нього, буде дуже малим. Робочою частиною у такому режимі буде --- - структура, в якій відбуватимуться процеси, звичайні для диністора.
Якщо зовнішню напругу прикласти плюсом до області , а мінусом до області , то в зворотному напрямі ввімкнеться перехід 4, і робочою частиною симістора буде диністор структури --- (рисунок 13.6, б).
Таким чином, симістор може бути поданий у вигляді двох тиристорів, увімкнених паралельно і назустріч один одному. ВАХ симістора показана на рисунку 13.6, в.