Такі ЗП RAM типу (Random Acces Memory – ОЗП) поділяються на статичні і динамічні.
У статичних ЗП – SRAM (Static RAM) – за ЗЕ використовуються тригери з ланцюгами установки і встановлення нуля. При К-МОН-технології тригер складається з шести транзисторів. Тому такі ЗП досить дорогі і займають багато місця на кристалі, але мають велику швидкодію.
У динамічних ЗП – DRAM (Dynamic RAM) – дані зберігаються у вигляді зарядів ємностей МОН-структур. Основою ЗЕ тут є просто конденсатор невеликої ємності. Такий ЗЕ значно простіший за тригерний, що дозволяє розмістити на кристалі значно більше ЗЕ. Оскільки конденсатор з часом втрачає свій заряд, то зберігання даних вимагає їхньої періодичної регенерації (через кожні декілька мікросекунд) за допомогою спеціальних підсилювачів-регенераторів. Зараз ємність динамічних ЗП становить до 128 Мбіт, у стані розроблення ЗП на 256 Мбіт (з числом транзисторів на кристалі до 300 мільйонів. Динамічні ЗП у 4-5 разів дешевші за статичні й у стільки ж разів мають більшу інформаційну ємність.
Обидва ці типи пам’яті є енергозалежними – при вимкненні джерела живлення ІМС інформація безповоротно губиться.