§99 Електричне поле усередині діелектричної пластини, яка розміщена перпендикулярно до напрямку поля. Електричне поле усередині діелектричного сферичного шару. Фізичний зміст діелектричної проникності [5]
§99 Електричне поле усередині діелектричної пластини, яка розміщена перпендикулярно до напрямку поля. Електричне поле усередині діелектричного сферичного шару. Фізичний зміст діелектричної проникності [5]
1. Розглянемо електричне поле усередині діелектричної пластини, яка розміщена перпендикулярно до напрямку поля. Припустимо, що однорідне електричне поле за умови відсутності діелектрика дорівнює . Внесемо в це поле пластину з діелектрика з проникністю , розмістивши її перпендикулярно до напрямку поля (див. рис. 99.1). Під дією поля діелектрик поляризується й на поверхнях пластини з'являться зв'язані заряди густиною та . Ці заряди створюють поле зв’язаних зарядів , яке накладається на зовнішнє . Таким чином, результуюче поле буде дорівнювати . Для того, щоб знайти результуюче поле використаємо умову на границі двох діелектриків
, (99.1)
де – нормальна складова вектора індукції електричного поля в діелектрику, – нормальна складова вектора індукції електричного поля в вакуумі. Також тут використали, що діелектрична пластинка розміщена перпендикулярно до напрямку поля і тому . Тобто напрямки нормалі до поверхні межі діелектрик-вакуум та вектора напруженості електричного поля збігаються між собою. Таким чином, співвідношення (99.1) можемо подати у вигляді
або . (99.2)
Через те, що як зовнішнє поле, так і поле в діелектрику є однорідним, то формула (99.2) визначає електричне поле не тільки на межі розділу діелектрик-вакуум, а й у всьому діелектрику. Таким чином, отримали формулу (99.2), яка визначає напруженість електричного поля всередині діелектричної пластини, яка розміщена перпендикулярно до напрямку поля.
Рисунок 99.2 – Кульовий шар з діелектрика в центрально-симетричному електричному полі
2. Розглянемо електричне поле усередині сферичного шару з діелектрика, в центрі якого розміщено сторонній точковий заряд. Помістимо в центр сферичного шару з діелектрика з проникністю сторонній точковий заряд (рис. 99.2). На внутрішній поверхні шару з'явиться від’ємний, а на зовнішній поверхні – додатний зв'язані заряди. Ці заряди будуть розподілені сферично симетрично і тому сферичну симетрію результуючого електричного поля не змінять. Силові лінії результуючого електричного поля будуть направлені вздовж радіальних ліній.
Для знаходження електричного поля всередині шару з діелектрика використаємо теорему Гаусса для діелектрика
, (99.3)
де – сторонній заряд всередині поверхні інтегрування .
Виходячи з вище описаної симетрії поля, виберемо поверхню інтегрування у вигляді концентричної із сферичним шаром з діелектрика сферичну поверхню радіуса . Для всіх точок цієї поверхні через сферичний розподіл сторонніх і зв’язаних зарядів можемо записати . Тому потік вектора через замкнену поверхню інтегрування буде дорівнювати
. (99.4)
Тепер знайдемо сторонній заряд всередині поверхні інтегрування. Зрозуміло, що він дорівнює (). Далі підставляємо (99.4) в (99.3) і з урахуванням того, що , отримуємо
. (99.5)
Далі використаємо зв’язок між індукцією і напруженістю електричного поля
, (99.6)
де діелектрична проникність середовища на поверхні інтегрування радіуса , і знайдемо
або . (99.7)
Тут – напруженість електричного поля за умови відсутності діелектрика. Таким чином, отримали формули (99.7), які визначають електричне поле як усередині сферичного шару з діелектрика, в центрі якого розміщено сторонній точковий заряд, так і за його межами, де діелектричну проникність потрібно покласти такою, що дорівнює одиниці ().
3. Для обох розглянутих вище прикладів є характерним те, що діелектрик був однорідним й ізотропним, а його поверхні збігалися з еквіпотенціальними поверхнями поля сторонніх зарядів. Отриманий нами в цих випадках результат є загальним: якщо однорідний і ізотропний діелектрик з діелектричною проникністю повністю заповнює об'єм, що обмежений еквіпотенціальними поверхнями поля сторонніх зарядів, то напруженість електричного поля визначається співвідношенням , де напруженість електричного поля за умови відсутності діелектрика.
Таким чином, у вище описаних випадках діелектрична проникність визначає, у скільки разів зменшується поле в діелектрику. В цьому полягає фізичний зміст діелектричної проникності.