У даній схемі враховано, що підкладка в ПТУП з’єднується з затвором, а в МДН – транзисторах – з витоком. Елементи та - це опори ділянки НП, які знаходяться між омічними контактами стоку, витоку й затвора. Елемент - середній розподільний опір каналу, через який заряджається і розряджається ємність між затвором і витоком . Елементи і - це опори ввімкнених у зворотному напрямі керувальних p-n – переходів у ПТУП, або опори між стоком і зватвором, затвором і витоком у МДН - транзисторах. Джерело струму відображає процес керування вихідним струмом ПТ за допомогою вхідної напруги . - внутрішній опір ПТ. Опори та у ПТУП становлять десятки Ом, у МДН - транзисторів – частки Ом. Опори та великі й для ПТУП становлять сотні кілоомів, а для МДН - транзисторів досягають значень Ом. Значення ємностей і становлять (3-20) пФ, а ємність не перевищує 10 пФ.
Частотні властивості ПТУП визначають здебільшого ділянкою затвор – витік фрагмент схеми (рисунок 12.4) з елементами , , ). Вхідна змінна напруги розподіляється між ємністю і середнім опором каналу . Безпосередньою керувальною напругою, під дією якої змінюються товщина p-n – переходу і ширина каналу, є напруга, прикладена до ємності . При збільшенні частоти реактивний опір ємності зменшується, що приводить до перерозподілу напруги на елементах та і до зменшення керувальної] напруги . Отже, при збільшенні частоти вхідної напруги підсилювальний ефект транзистора зменшується. Частоту, на якій
називають граничною частотою ПТУП (частотою затвора).
Тобто
=. (12.12)
З формули (12.12) випливає, що гранична частота ПТУП залежить від напруги зміщення , оскільки від цієї напруги залежить товщина p-n – переходу, тобто і .
Крім швидкості перезаряду ємності (тобто сталої часу кола затвора ==1/), на частотні властивості ПТУП впливає час прольоту носіїв заряду через канал. Якщо час прольоту виявиться сумірним з періодом вхідного сигналу, то зміна струму стоку не встигає слідкувати за зміною керувальної напруги на затворі, й динамічна крутизна ПТ зменшується. Але в реальних ПТУП довжина каналу дорівнює 5-10 мкм. Тому час прольоту виявляється значно меншим сталої часу затвора і його можна не враховувати.
Граничну частоту МДН - транзисторів визначають за формулою
=або=, (12.13)
де - крутизна приладу.
Для МДН - транзистора, у якого =5 пФ і =5 мА/В, гранична частота =160 МГц.