Курносов Н.М., Сороколетов О.Д. Тонкопленочные преобразователи сопротивления// Приборы и системы управления.- 1995.- № 9.- С. 41-44.
Georgiev J.K., Dimitrov D.A., Zahariev A.L. Stability and calibrating methods of some thin film Pt thermometers in the range 13,8-273,16 K// Журнал фізичних досліджень.- 2000.- Т.4, № 2.- С. 216-224.
Савельев И.В. Курс общей физики.- Москва: Наука, 1973.-Т. 2.- С. 277-284.
Пленочные термоэлементы: физика и применение/ Под ред. Н.С.Лидоренко.- Москва: Наука, 1985.- 232с.
Holmes D.S., Courts S.S. Resolution and accuracy of cryogenic temperature measurements// Temperature, its measurement and control in science and industy.- 1992.- V.6.- P. 1225-1230.
Mitin V.F. Resistance thermometers based on the germanium films// Quantum Electronics and Optoelectronics.- 1999.- V.2, № 1.- Р. 115-123.
Ландочкин И.Г., Клементьев С.В., Предеин А.В. и др. Терморезистор на основе диоксида ванадия для схем тепловой защиты// Приборы и системы управления.- 1989.- № 7.- С. 33-35.
Методичні вказівки до курсу “Датчики” для студентів заочної та денної форм навчання.- Суми: Вид-во СумДУ, 2002.- 21с.
Кисин В.В., Ворошилов С.А., Сысоев В.В. и др. Моделирование процесса низкотемпературного получения газочувствительных пленок оксида олова //ЖТФ.- 1999.- Т.69, Вып.4.- С. 112-113.
Boarino L., Barratto C., Geobaldo F. et all. NO2 monitoring at room temperature by a porous silicon gas sensor// Cryst. Res. Technol.- № I-II/P46.
Тутов Е.А., Рябцев С.В., Андрюков А.Ю. Детектирование диоксида азота аморфными пленками WO3// Письма ЖТФ.- 2000.- Т.26, Вып. 3.- С. 38-43.
Бомк О.Й., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В. та ін. Про природу чутливості до аміаку газових сенсорів на основі структур надтонка титанова плівка – кремній //УФЖ.- 1999.- Т.44, № 6.- С. 759-763.
Филлипов В.И., Васильев А.А., Терентьев А.А. и др. Сенсор на основе структуры Pt/LaF3/SiO2/SiC для детектирования хлорофтороуглеродов// ЖТФ.- 1999.- Т.69, Вып.11.- С. 80-85.
Проценко І.Ю., Саєнко В.А. Тонкі металеві плівки (технологія та властивості).- Суми: Вид-во СумДУ, 2002.- С. 149-151.
Protsenko I., Odnodvoretz L., Chornous A. Electroconductivity and tensosensibility of multilayer films // Металлофиз. нов. Технол.- 1998.- Т.20, № 1.- Р. 36-44.
Lasyuchenko O., Odnodvoretz L., Protsenko I. Microscopic theory of thensosensibility of multi-layer polycrystalline films// Cryst. Res. Technol.- 2000.- V. 35, № 3.- P. 329-332.
Сопряжение датчиков и устройств ввода данных с компьютерами IBMPC/ Под ред. У.Томпкинса и Дж. Уэбстера.- Москва: Мир, 1992.- С. 367-369.
Островская А.С., Варшава С.С. Резистивные датчики на основе микрокристаллов арсенида-фосфида галлия //Приборы и системы управления.- 1989.- № 7.- С.30-31.
Панков Ю.М., Марьмова И.И. Тонкопленочные германиевые тензорезисторы, полученные ионно-плазменным распылением// Там же.- С. 31-32.
Naboka M.N., Marincheva V.E., Tupikina V.N. Films sensor materials based on europium monosulphide and samarium // Functional materials.- 1999.- V.6, № 5.- P. 903-907.
Годжаев Э.М., Садыгова Х.О., Аллахяров Э.А. Тензометрические свойства монокристаллов Tl InTe2 //Неорг. материалы.- 1994.- Т.30, № 6.- С. 859-860.
Каринов Х.С. О тензочувствительности низкоразмерных органических материалов// ЖТФ.- 1994.- Т.64, Вып.1.- С. 194-196.
Васильева Н.П., Касаткин С.И., Аверин Н.М. и др. Разработка тонкопленочных двухслойных магниторезистивных датчиков// Приборы и системы управления.- 1995.- № 2.- С. 24-26.
Ravlik A.G., Roshchenko S.T., Samophalov V.N. et all. New magnetoresistive elements based on W.Thomson effect// Functional materials.- 1999.- V.6, № 5.- Р. 897-902.
*Один із методів розрахунку: DV=4/3p(u+Du)3 - 4/3pu3=4/3pu3+ 4pu2Du+ 4puDu2+ 4/3puDu3-4/3pu3= 4pu2Du, оскількиDu2таDu3<<Du.
*Застарілий термін "катодне розпилення" з’явився у зв'язку з тим, що при розпиленні матеріаліву тліючому розряді розпиляється катод.